Name: IXTT110N10L2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT110N10L2-TRLTR-ND
Price: 26.2788 EUR
Availability: InStock

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IXTT110N10L2-TRL
Codice DigiKey	238-IXTT110N10L2-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 238-IXTT110N10L2-TRLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 238-IXTT110N10L2-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTT110N10L2-TRL
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Tempi di consegna standard del produttore	37 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 110 A (Tc) 600W (Tc) A montaggio superficiale TO-268 (IXTT)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 260 nC @ 10 V
Serie Linear L2™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10500 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 600W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-268 (IXTT)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 110 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-268-3, D3PAK (2 conduttori+linguetta), TO-268AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IXTT110
RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 55A, 10V