
IXTT110N10L2-TRL | |
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Codice DigiKey | 238-IXTT110N10L2-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 238-IXTT110N10L2-TRLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 238-IXTT110N10L2-TRLDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IXTT110N10L2-TRL |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 110A TO268 |
Tempi di consegna standard del produttore | 37 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 110 A (Tc) 600W (Tc) A montaggio superficiale TO-268 (IXTT) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 18mohm a 55A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 260 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 10500 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 600W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-268 (IXTT) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 19,30000 | € 19,30 |
| 10 | € 13,87200 | € 138,72 |
| 100 | € 12,68150 | € 1 268,15 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 400 | € 10,36070 | € 4 144,28 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 19,30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 23,54600 |



