IXTN660N04T4 IXYS | FET, MOSFET singoli

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IXTN660N04T4
Codice DigiKey	IXTN660N04T4-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTN660N04T4
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 660 A (Tc) 1040W (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 860 nC @ 10 V
Serie Trench	Vgs (max) ±15V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 44000 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 1040W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Montaggio su telaio
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 660 A (Tc)	Contenitore/involucro SOT-227-4, miniBLOC
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IXTN660
RDSon (max) a Id, Vgs 0,85mohm a 100A, 10V

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