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IXTH30N60L2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 238-IXTH30N60L2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXTH30N60L2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 |
Tempi di consegna standard del produttore | 46 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 30 A (Tc) 540W (Tc) Foro passante TO-247 (IXTH) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IXTH30N60L2 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 335 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10700 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 540W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-247 (IXTH) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 240mohm a 15A, 10V |
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Sostituti (6)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| APT34F60B | Microchip Technology | 0 | APT34F60B-ND | € 10,32675 | Simile |
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | 93 | 448-IPW60R125C6FKSA1-ND | € 5,19000 | Simile |
| SIHG15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG15N60E-GE3-ND | € 3,91000 | Simile |
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | 2 117 | SPW17N80C3FKSA1-ND | € 5,16000 | Simile |
| STW18N60M2 | STMicroelectronics | 84 | 497-15284-5-ND | € 3,39000 | Simile |
In magazzino: 0
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 20,50000 | € 20,50 |
| 30 | € 13,01933 | € 390,58 |
| 120 | € 11,38317 | € 1 365,98 |
| 510 | € 11,18714 | € 5 705,44 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 20,50000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 25,01000 |
