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IXTA80N10T-TRL | |
|---|---|
Codice DigiKey | 238-IXTA80N10T-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IXTA80N10T-TRL |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 80A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 80 A (Tc) 230W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 100µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3040 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 14mohm a 25A, 10V |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA80N10T | IXYS | 0 | 238-IXTA80N10T-ND | € 4,36000 | Equivalente parametrico |
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | € 1,81249 | € 1 449,99 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,81249 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,21124 |
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