Canale N, modalità depletion 1000 V 6 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA
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IXTA6N100D2

Codice DigiKey
238-IXTA6N100D2-ND
Produttore
Codice produttore
IXTA6N100D2
Descrizione
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N, modalità depletion 1000 V 6 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IXTA6N100D2 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
95 nC @ 5 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2650 pF @ 25 V
Confezionamento
Tubo
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tecnologia
Contenitore del fornitore
TO-263AA
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Contenitore/involucro
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
2,2ohm a 3A, 0V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 1 149
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 10,56000€ 10,56
50€ 5,95020€ 297,51
100€ 5,50630€ 550,63
500€ 4,75870€ 2 379,35
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 10,56000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 12,88320