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IXYS
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Prezzo unitario : € 4,29227
Scheda tecnica
Canale N 650 V 34 A (Tc) 540W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 650 V 34 A (Tc) 540W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-D2PAK

IXTA34N65X2-TRL

Codice DigiKey
238-IXTA34N65X2-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IXTA34N65X2-TRL
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 34 A (Tc) 540W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
54 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±30V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3000 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
540W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
96mohm a 17A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IXTA34N65X2IXYS0IXTA34N65X2-ND€ 4,29227Equivalente parametrico
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 4,29228€ 3 433,82
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,29228
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,23658