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STMicroelectronics
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Prezzo unitario : € 2,90000
Scheda tecnica
Canale N 1000 V 2 A (Tc) 86W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA
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IXTA2N100P

Codice DigiKey
IXTA2N100P-ND
Produttore
Codice produttore
IXTA2N100P
Descrizione
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1000 V 2 A (Tc) 86W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 100µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
24.3 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
655 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
86W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Contenitore del fornitore
TO-263AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
7,5ohm a 500mA, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
STD3NK100ZSTMicroelectronics5 153497-7967-1-ND€ 2,90000Simile
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
300€ 2,01707€ 605,12
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,01707
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,46083