Canale N, modalità depletion 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA
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IXTA1R6N100D2

Codice DigiKey
238-IXTA1R6N100D2-ND
Produttore
Codice produttore
IXTA1R6N100D2
Descrizione
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N, modalità depletion 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
10ohm a 800mA, 0V
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
27 nC @ 5 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
645 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Contenitore del fornitore
TO-263AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 553
Scorte di fabbrica: 800
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,86000€ 4,86
50€ 2,54140€ 127,07
100€ 2,31700€ 231,70
500€ 1,92410€ 962,05
1 000€ 1,79798€ 1 797,98
2 000€ 1,70278€ 3 405,56
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,86000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,92920