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IXTA1R6N100D2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 238-IXTA1R6N100D2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXTA1R6N100D2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 32 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N, modalità depletion 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1000 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 10ohm a 800mA, 0V | |
Vgs(th) max a Id | - | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 27 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 645 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 250
Scorte di fabbrica: 700
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,16000 | € 4,16 |
| 50 | € 2,15480 | € 107,74 |
| 100 | € 1,96070 | € 196,07 |
| 500 | € 1,62058 | € 810,29 |
| 1 000 | € 1,51136 | € 1 511,36 |
| 2 000 | € 1,50468 | € 3 009,36 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,16000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,07520 |
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