Canale P 65 V 120 A (Tc) 298W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale P 65 V 120 A (Tc) 298W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-D2PAK

IXTA120P065T-TRL

Codice DigiKey
238-IXTA120P065T-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
IXYS
Codice produttore
IXTA120P065T-TRL
Descrizione
MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 65 V 120 A (Tc) 298W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
IXYS
Serie
TrenchP™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
65 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
10mohm a 60A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (max)
±15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
13200 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
298W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IXTA120
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Quantità
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 3,41046€ 2 728,37
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,41046
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,16076
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