IXTA110N055T7 IXYS | FET, MOSFET singoli

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IXTA110N055T7
Codice DigiKey	IXTA110N055T7-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTA110N055T7
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 110 A (Tc) 230W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7 (IXTA)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 100µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 67 nC @ 10 V
Serie Trench	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3080 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 55 V	Contenitore del fornitore TO-263-7 (IXTA)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 110 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IXTA110
RDSon (max) a Id, Vgs 7mohm a 25A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BUK9606-75B,118	Nexperia USA Inc.	1 048	1727-5260-1-ND	€ 4,10000	Simile
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IXTA110N055T7