Nuovo prodotto
Canale N 650 V 99 A (Tc) 454W (Tc) Foro passante TO-247-4L
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
Canale N 650 V 99 A (Tc) 454W (Tc) Foro passante TO-247-4L
8PowerSFN

IXSH100N65L2KHV

Codice DigiKey
238-IXSH100N65L2KHV-ND
Produttore
IXYS
Codice produttore
IXSH100N65L2KHV
Descrizione
650V 25M (100A @ 25C) SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 99 A (Tc) 454W (Tc) Foro passante TO-247-4L
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
IXYS
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
99 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
33mohm a 40A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 12mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
125 nC @ 18 V
Vgs (max)
+20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3090 pF @ 600 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
454W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-247-4L
Contenitore/involucro
TO-247-4
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 410
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 9,55000€ 9,55
10€ 6,61200€ 66,12
450€ 4,53967€ 2 042,85
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 9,55000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 11,65100