Name: IXSG60N65L2K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSG60N65L2KTR-ND
Price: 11.1508 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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IXSG60N65L2K
Codice DigiKey	238-IXSG60N65L2KTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 238-IXSG60N65L2KCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 238-IXSG60N65L2KDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXSG60N65L2K
Descrizione	650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 60 A (Tc) 249W (Tc) A montaggio superficiale TOLL
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 7,5mA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 94.7 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +20V, -5V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2200 pF @ 600 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 249W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLL
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
RDSon (max) a Id, Vgs 53mohm a 20A, 18V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 3,92851	€ 7 857,02

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 9,14000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 11,15080

IXSG60N65L2K