Name: IXSG110N65L2K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSG110N65L2KTR-ND
Price: 13.6884 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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IXSG110N65L2K
Codice DigiKey	238-IXSG110N65L2KTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 238-IXSG110N65L2KCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 238-IXSG110N65L2KDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXSG110N65L2K
Descrizione	650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 111A (Tc) 600W (Tc) A montaggio superficiale TOLL
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 12mA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 125 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +20V, -5V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3090 pF @ 600 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 600W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 111A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLL
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
RDSon (max) a Id, Vgs 33mohm a 40A, 18V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 5,07381	€ 10 147,62

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 11,22000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 13,68840

IXSG110N65L2K