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Canale N 1200 V 65 A (Tc) 417W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
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Canale N 1200 V 65 A (Tc) 417W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
TO-263-7

IXSA65N120L2-7TR

Codice DigiKey
238-IXSA65N120L2-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
238-IXSA65N120L2-7TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
238-IXSA65N120L2-7TRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
IXYS
Codice produttore
IXSA65N120L2-7TR
Descrizione
1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 65 A (Tc) 417W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
IXYS
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
65 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
53mohm a 20A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 9mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
110 nC @ 18 V
Vgs (max)
+20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2160 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
417W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263-7
Contenitore/involucro
TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 8,44000€ 8,44
10€ 5,80500€ 58,05
100€ 4,72700€ 472,70
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 3,86194€ 3 089,55
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 8,44000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 10,29680