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IXFT18N100Q3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IXFT18N100Q3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXFT18N100Q3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 18A TO268 |
Tempi di consegna standard del produttore | 46 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1000 V 18 A (Tc) 830W (Tc) A montaggio superficiale TO-268AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 6,5V a 4mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 90 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4890 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 830W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 1000 V | Contenitore del fornitore TO-268AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 660mohm a 9A, 10V |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 300 | € 13,95293 | € 4 185,88 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 13,95293 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 17,02257 |
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