IXFP4N60P3 IXYS | FET, MOSFET singoli

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IXYS

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Prezzo unitario : € 2,25893

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IXFP4N60P3
Codice DigiKey	IXFP4N60P3-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFP4N60P3
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 4 A (Tc) 114W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.9 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Polar3™	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 365 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 114W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IXFP4N60
RDSon (max) a Id, Vgs 2,2ohm a 2A, 10V

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IXFP4N60P3