Canale N 1200 V 54 A (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B
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IXFN55N120SK

Codice DigiKey
238-IXFN55N120SK-ND
Produttore
IXYS
Codice produttore
IXFN55N120SK
Descrizione
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 54 A (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
IXYS
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
54 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V
RDSon (max) a Id, Vgs
42mohm a 40A, 15V
Vgs(th) max a Id
3,6V a 12mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
107 nC @ 15 V
Vgs (max)
+15V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3360 pF @ 1000 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Contenitore del fornitore
SOT-227B
Contenitore/involucro
SOT-227-4, miniBLOC
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Obsoleto
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