IXFN30N110P IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

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IXFN30N110P
Codice DigiKey	IXFN30N110P-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFN30N110P
Descrizione	MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1100 V 25 A (Tc) 695W (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	1100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	25 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	360mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id	6,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	235 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	13600 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	695W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore del fornitore	SOT-227B
Contenitore/involucro	SOT-227-4, miniBLOC
Codice componente base	IXFN30