Name: IXFN200N10P
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFN200N10P-ND
Price: 30.3536 EUR
Availability: InStock

Canale N 100 V 200 A (Tc) 680W (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B

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IXFN200N10P
Codice DigiKey	238-IXFN200N10P-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFN200N10P
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 200 A (Tc) 680W (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	200 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	7,5mohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 8mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	235 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7600 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	680W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore del fornitore	SOT-227B
Contenitore/involucro	SOT-227-4, miniBLOC
Codice componente base	IXFN200

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 24,88000	€ 24,88
10	€ 18,21300	€ 182,13
100	€ 15,52050	€ 1 552,05

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