IXFH9N80Q IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

IXFH9N80Q è obsoleto e non è più in produzione.

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IXFH9N80Q
Codice DigiKey	IXFH9N80Q-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFH9N80Q
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 9 A (Tc) 180W (Tc) Foro passante TO-247AD (IXFH)

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	HiPerFET™, Q Class
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,1ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 2,5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2200 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247AD (IXFH)
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	IXFH9