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IXFH50N60X è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
IXFH50N60X | |
|---|---|
Codice DigiKey | IXFH50N60X-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXFH50N60X |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 50 A (Tc) 660W (Tc) Foro passante TO-247 (IXTH) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 4mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 116 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4660 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 660W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-247 (IXTH) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 73mohm a 25A, 10V |
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| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5 072 | 238-IXFH60N65X2-ND | € 13,10000 | Consigliato dal produttore |
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| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | 10 080 | 448-IPW60R080P7XKSA1-ND | € 5,60000 | Simile |
| SIHG47N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 1 000 | 742-SIHG47N65E-GE3-ND | € 8,24000 | Simile |
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