Canale N 1000 V 4 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA (IXFA)
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IXFA4N100P

Codice DigiKey
238-IXFA4N100P-ND
Produttore
IXYS
Codice produttore
IXFA4N100P
Descrizione
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1000 V 4 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA (IXFA)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
IXYS
Serie
HiPerFET™, Polar
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,3ohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1456 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263AA (IXFA)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IXFA4N100
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Quantità
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,44000€ 4,44
50€ 2,31100€ 115,55
100€ 2,10550€ 210,55
500€ 1,74562€ 872,81
1 000€ 1,64170€ 1 641,70
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,44000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,41680