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IXYS
In magazzino: 203
Prezzo unitario : € 4,55000
Scheda tecnica
Canale N 650 V 12 A (Tc) 180W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 650 V 12 A (Tc) 180W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-D2PAK

IXFA12N65X2-TRL

Codice DigiKey
238-IXFA12N65X2-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IXFA12N65X2-TRL
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 12 A (Tc) 180W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
310mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1134 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
180W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 1,71455€ 1 371,64
1 600€ 1,69786€ 2 716,58
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,71455
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,09175