Name: CPC5603CTR
Brand: IXYS Integrated Circuits Division
SKU: 212-CPC5603CTR-ND
Price: 1.5616 EUR
Availability: InStock

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CPC5603CTR
Codice DigiKey	212-CPC5603CTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 212-CPC5603CTRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 212-CPC5603CTRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	IXYS Integrated Circuits Division
Codice produttore	CPC5603CTR
Descrizione	MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 415 V 5mA (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS Integrated Circuits Division
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N, modalità depletion
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	415 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	0,35V
RDSon (max) a Id, Vgs	14ohm a 50mA, 350mV
Vgs(th) max a Id	-
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	300 pF @ 0 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 85°C (TA)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	CPC5603

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Nastrato in bobina (TR)