Name: CPC3980ZTR
Brand: IXYS Integrated Circuits Division
SKU: 212-CPC3980ZTR-ND
Price: 1.586 EUR
Availability: InStock

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CPC3980ZTR
Codice DigiKey	212-CPC3980ZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 212-CPC3980ZTRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 212-CPC3980ZTRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	IXYS Integrated Circuits Division
Codice produttore	CPC3980ZTR
Descrizione	MOSFET N-CH 800V SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 800 V 1,8W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS Integrated Circuits Division
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N, modalità depletion
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	-
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	0V
RDSon (max) a Id, Vgs	45ohm a 100mA, 0V
Vgs(th) max a Id	-
Vgs (max)	±15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	115 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 125°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	CPC3980

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Nastrato in bobina (TR)