Name: CPC3960ZTR
Brand: IXYS Integrated Circuits Division
SKU: 212-CPC3960ZTR-ND
Price: 1.464 EUR
Availability: OutOfStock

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CPC3960ZTR
Codice DigiKey	212-CPC3960ZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 212-CPC3960ZTRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 212-CPC3960ZTRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	IXYS Integrated Circuits Division
Codice produttore	CPC3960ZTR
Descrizione	MOSFET N-CH 600V SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 600 V 1,8W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS Integrated Circuits Division
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N, modalità depletion
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	-
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	0V
RDSon (max) a Id, Vgs	44ohm a 100mA, 0V
Vgs(th) max a Id	-
Vgs (max)	±15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	100 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 125°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	CPC3960

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Nastrato in bobina (TR)