JFET Canale P 350 mW A montaggio superficiale SOT-23-3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SMP5114TR

Codice DigiKey
4966-SMP5114TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SMP5114TR
Descrizione
JFET P-Channel 30V Low Noise
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
JFET Canale P 350 mW A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
InterFET
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)
45 mA @ 15 V
Tensione - Soglia (VGS off) a Id
6 V @ 1 nA
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
12pF a 10V
Resistenza - RDSon
65 Ohms
Potenza - Max
350 mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SOT-23-3
Contenitore del fornitore
SOT-23-3
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 3 000
PRODOTTI MARKETPLACE
La spedizione è prevista entro 5 giorni circa da InterFET
Sarà applicato un costo di spedizione forfettario separato pari a € 72,97
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 1,19623€ 3 588,69
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,19623
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,45940