JFET Canale N 350 mW A montaggio superficiale SOT-23-3
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IFN160BST3TR

Codice DigiKey
4966-IFN160BST3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IFN160BST3TR
Descrizione
JFET N-Channel -50V Low Ciss
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
JFET Canale N 350 mW A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
InterFET
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tensione drain/source (Vdss)
50 V
Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)
3 mA @ 5 V
Tensione - Soglia (VGS off) a Id
1 V @ 10 µA
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4pF a 10V
Resistenza - RDSon
330 Ohms
Potenza - Max
350 mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SOT-23-3
Contenitore del fornitore
SOT-23-3
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PRODOTTI MARKETPLACE
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Nastrato in bobina (TR)
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