Canale N 600 V 1,8 A (Tc) 25W (Tc) Foro passante PG-TO251-3-11
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SPS02N60C3BKMA1

Codice DigiKey
SPS02N60C3BKMA1-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
SPS02N60C3BKMA1
Descrizione
LOW POWER_LEGACY
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 1,8 A (Tc) 25W (Tc) Foro passante PG-TO251-3-11
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1,8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3ohm a 1,1A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,9V a 80µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
200 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
25W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
PG-TO251-3-11
Contenitore/involucro
TO-251-3 conduttori corti, IPAK
Codice componente base
SPS02N
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