
SPP15N60C3XKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-SPP15N60C3XKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SPP15N60C3XKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 15 A (Tc) 156W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SPP15N60C3XKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,9V a 675µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 63 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1660 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3-1 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 280mohm a 9,4A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | 2 790 | SPP11N80C3XKSA1-ND | € 3,99000 | Diretto |
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | 43 | IPP60R280P7XKSA1-ND | € 2,78000 | Consigliato dal produttore |
| IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | 417 | 448-IPP65R045C7XKSA1-ND | € 12,01000 | Simile |
| SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N65EF-GE3-ND | € 5,06000 | Diretto |
| FCP260N60E | onsemi | 190 | FCP260N60EOS-ND | € 3,48000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,88000 | € 4,88 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,88000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,95360 |








