SPP04N60C3XKSA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

SPP04N60C3XKSA1 è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Diretto

STMicroelectronics

In magazzino: 1 176

Prezzo unitario : € 1,61000

Simile

Vishay Siliconix

In magazzino: 896

Prezzo unitario : € 2,77000

Simile

IXYS

In magazzino: 240

Prezzo unitario : € 6,04000

Simile

STMicroelectronics

In magazzino: 696

Prezzo unitario : € 2,48000

Simile

STMicroelectronics

In magazzino: 0

Prezzo unitario : € 1,21792

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SPP04N60C3XKSA1
Codice DigiKey	SPP04N60C3XKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPP04N60C3XKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 4,5 A (Tc) 50W (Tc) Foro passante PG-TO220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPP04N60C3XKSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	950mohm a 2,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,9V a 200µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	490 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO220-3
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	SPP04N60