Canale N 500 V 7,6 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
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SPD08N50C3ATMA1

Codice DigiKey
SPD08N50C3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SPD08N50C3ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SPD08N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
SPD08N50C3ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 7,6 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SPD08N50C3ATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7,6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
600mohm a 4,6A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,9V a 350µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
750 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
SPD08N50
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Data ultima possibilità d'acquisto: 30.09.2026
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,15000€ 2,15
10€ 1,38300€ 13,83
100€ 0,94570€ 94,57
500€ 0,75860€ 379,30
1 000€ 0,75053€ 750,53
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,63339€ 1 583,47
5 000€ 0,61318€ 3 065,90
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,15000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,62300