Name: SPD06N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD06N80C3ATMA1TR-ND
Price: 2.4278 EUR
Availability: InStock

SPD06N80C3ATMA1
Codice DigiKey	SPD06N80C3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SPD06N80C3ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SPD06N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPD06N80C3ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 6 A (Ta) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPD06N80C3ATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	900mohm a 3,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,9V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	785 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	83W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	SPD06N80

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,99000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,42780

SPD06N80C3ATMA1