Name: SPD04N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD04N80C3ATMA1TR-ND
Price: 2.7816 EUR
Availability: InStock

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SPD04N80C3ATMA1
Codice DigiKey	SPD04N80C3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SPD04N80C3ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SPD04N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPD04N80C3ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 4 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPD04N80C3ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 240µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 31 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 570 pF @ 100 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SPD04N80
RDSon (max) a Id, Vgs 1,3ohm a 2,5A, 10V