Name: SPD03N60C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPD03N60C3ATMA1TR-ND
Price: 2.0618 EUR
Availability: InStock

SPD03N60C3ATMA1
Codice DigiKey	448-SPD03N60C3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-SPD03N60C3ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-SPD03N60C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPD03N60C3ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 3,2 A (Tc) 38W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPD03N60C3ATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,4ohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,9V a 135µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	400 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	38W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	SPD03N60

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,69000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,06180

SPD03N60C3ATMA1