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Canale N 600 V 1,8 A (Tc) 25W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
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SPD02N60S5BTMA1

Codice DigiKey
SPD02N60S5BTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SPD02N60S5BTMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 1,8 A (Tc) 25W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3ohm a 1,1A, 10V
Vgs(th) max a Id
5,5V a 80µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
240 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
25W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3-11
Contenitore/involucro
Codice componente base
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