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Canale N 55 V 80 A (Tc) 215W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
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SPB80N06S2-08

Codice DigiKey
SPB80N06S2-08-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SPB80N06S2-08
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 55 V 80 A (Tc) 215W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8mohm a 58A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 150µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3800 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
215W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro
Codice componente base
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