SN7002NL6433HTMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Simile


onsemi
In magazzino: 186 566
Prezzo unitario : € 0,56000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,15000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 185 937
Prezzo unitario : € 0,15000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,19000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 263 825
Prezzo unitario : € 0,27000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,16000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,99000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 5 119
Prezzo unitario : € 0,24000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,22000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 33 583
Prezzo unitario : € 0,28000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 118 259
Prezzo unitario : € 0,25000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 212
Prezzo unitario : € 0,63000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 5 371
Prezzo unitario : € 0,77000
Scheda tecnica
Canale N 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT23
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SN7002NL6433HTMA1

Codice DigiKey
SN7002NL6433HTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SN7002NL6433HTMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
5ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id
1,8V a 26µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
45 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
360mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-SOT23
Contenitore/involucro
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione. Visualizza Articoli sostitutivi o Tipi di contenitori alternativi.