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Diodes Incorporated
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Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 80 V 500 mA 100MHz 330 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
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MMBTA56LT1HTSA1

Codice DigiKey
MMBTA56LT1HTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
MMBTA56LT1HTSA1
Descrizione
TRANS PNP 80V 0.5A PG-SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 80 V 500 mA 100MHz 330 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
100 a 100mA, 1V
Produttore
Potenza - Max
330 mW
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Frequenza - Transizione
100MHz
Stato componente
Data di acquisto finale
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di transistor
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max
500 mA
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
80 V
Contenitore del fornitore
PG-SOT23
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
250mV a 10mA, 100mA
Codice componente base
Corrente - Interruzione collettore (max)
100nA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
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Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
MMBTA56-7-FDiodes Incorporated234 881MMBTA56-FDICT-ND€ 0,17000Diretto
MMBTA56LT1Gonsemi34 974MMBTA56LT1GOSCT-ND€ 0,15000Diretto
MMBTA56LT3Gonsemi10 491MMBTA56LT3GOSCT-ND€ 0,16000Diretto
PMBTA56,215Nexperia USA Inc.01727-2965-1-ND€ 0,15000Diretto
SMMBTA56LT1Gonsemi0SMMBTA56LT1GOSCT-ND€ 0,23000Diretto
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
36 000€ 0,06128€ 2 206,08
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,06128
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,07476