Name: IST026N10NM5AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IST026N10NM5AUMA1TR-ND
Price: 4.8434 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IST026N10NM5AUMA1
Codice DigiKey	448-IST026N10NM5AUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IST026N10NM5AUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IST026N10NM5AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IST026N10NM5AUMA1
Descrizione	TRENCH >=100V PG-HSOF-5
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 27A (Ta), 248A (Tc) 3,8W (Ta), 313W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-5-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IST026N10NM5AUMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 148µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 125 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6300 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 313W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-HSOF-5-4
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 27A (Ta), 248A (Tc)	Contenitore/involucro 5-PowerSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IST026N
RDSon (max) a Id, Vgs 2,6mohm a 100A, 10V