Name: IST026N10NM5AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IST026N10NM5AUMA1TR-ND
Price: 4.5994 EUR
Availability: OutOfStock

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IST026N10NM5AUMA1
Codice DigiKey	448-IST026N10NM5AUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IST026N10NM5AUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IST026N10NM5AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IST026N10NM5AUMA1
Descrizione	TRENCH >=100V PG-HSOF-5
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 27A (Ta), 248A (Tc) 3,8W (Ta), 313W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-5-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IST026N10NM5AUMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	27A (Ta), 248A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,6mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,8V a 148µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6300 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 313W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HSOF-5-4
Contenitore/involucro	5-PowerSFN
Codice componente base	IST026N

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,77000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,59940

IST026N10NM5AUMA1