ISS17EP06LMXTSA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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ISS17EP06LMXTSA1
Codice DigiKey	448-ISS17EP06LMXTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISS17EP06LMXTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISS17EP06LMXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISS17EP06LMXTSA1
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 300mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISS17EP06LMXTSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	300mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,7ohm a 300mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 34µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.79 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	55 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	ISS17EP06

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