Name: ISG0613N04NM6HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND
Price: 5.1606 EUR
Availability: InStock

MOSFET - Array 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHITFN-10-1

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ISG0613N04NM6HSCATMA1
Codice DigiKey	448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISG0613N04NM6HSCATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHITFN-10-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 0,88mohm a 50A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2,8V a 780µA
Serie OptiMOS™ 6	Carica del gate (Qg) max a Vgs 104nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6200pF a 20V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 3W (Ta), 167W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (semiponte)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Contenitore/involucro 10-PowerWDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 42A (Ta), 299A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-WHITFN-10-1