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ISG0613N04NM6HSCATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | ISG0613N04NM6HSCATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHITFN-10-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 40V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 42A (Ta), 299A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 0,88mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,8V a 780µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 104nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 6200pF a 20V | |
Potenza - Max | 3W (Ta), 167W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 10-PowerWDFN | |
Contenitore del fornitore | PG-WHITFN-10-1 |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,06000 | € 4,06 |
| 10 | € 2,68700 | € 26,87 |
| 100 | € 1,90710 | € 190,71 |
| 500 | € 1,78080 | € 890,40 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 1,45490 | € 4 364,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,06000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 4,95320 |
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