Name: ISC230N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC230N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 0.44274 EUR
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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Prezzo unitario : € 1,45000

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ISC230N10NM6ATMA1
Codice DigiKey	448-ISC230N10NM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISC230N10NM6ATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V PG-TDSON-9
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 7,7A (Ta), 31A (Tc) 3W (Ta), 48W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8 FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISC230N10NM6ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,7A (Ta), 31A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	8V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	23mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,3V a 13µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	9.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	690 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8 FL
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	ISC230N