Name: ISC032N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC032N12LM6ATMA1TR-ND
Price: 5.2948 EUR
Availability: InStock

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ISC032N12LM6ATMA1
Codice DigiKey	448-ISC032N12LM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISC032N12LM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISC032N12LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISC032N12LM6ATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 20A (Ta), 170A (Tc) 3W (Ta), 211W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8 FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 110µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 82 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5700 pF @ 60 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 211W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 120 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8 FL
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20A (Ta), 170A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 3,3V, 10V	Codice componente base ISC032N
RDSon (max) a Id, Vgs 3,2mohm a 50A, 10V