Name: ISC015N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC015N04NM5ATMA1TR-ND
Price: 2.1716 EUR
Availability: InStock

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ISC015N04NM5ATMA1
Codice DigiKey	448-ISC015N04NM5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISC015N04NM5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISC015N04NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISC015N04NM5ATMA1
Descrizione	40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 33A (Ta), 206A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8 FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISC015N04NM5ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,4V a 60µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 67 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4800 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 115W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8 FL
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33A (Ta), 206A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7V, 10V	Codice componente base ISC015N
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5mohm a 50A, 10V