Name: ISC008N06LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC008N06LM6ATMA1TR-ND
Price: 3.5746 EUR
Availability: OutOfStock

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ISC008N06LM6ATMA1
Codice DigiKey	448-ISC008N06LM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISC008N06LM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISC008N06LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISC008N06LM6ATMA1
Descrizione	TRENCH 40<-<100V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 44A (Ta), 378A (Tc) 3W (Ta), 221W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	44A (Ta), 378A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	0,8mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,3V a 118µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	188 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	13000 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 221W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN

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