MOSFET - Array 30V 7,6A (Ta), 10,2A (Tc), 6,6A (Ta), 8,8A (Tc) 1,4W (Ta), 2,5W (Tc) A montaggio superficiale PG-DSO-8-920
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MOSFET - Array 30V 7,6A (Ta), 10,2A (Tc), 6,6A (Ta), 8,8A (Tc) 1,4W (Ta), 2,5W (Tc) A montaggio superficiale PG-DSO-8-920
Infineon OptiMOSTM Dual N+N channel and N+P channel power MOSFETs in 30 V and 40 V in SO-8 package

ISA150233C03LMDSXTMA

Codice DigiKey
448-ISA150233C03LMDSXTMATR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-ISA150233C03LMDSXTMACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-ISA150233C03LMDSXTMADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
ISA150233C03LMDSXTMA
Descrizione
ISA150233C03LMDSXTMA
Tempi di consegna standard del produttore
21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 7,6A (Ta), 10,2A (Tc), 6,6A (Ta), 8,8A (Tc) 1,4W (Ta), 2,5W (Tc) A montaggio superficiale PG-DSO-8-920
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7,6A (Ta), 10,2A (Tc), 6,6A (Ta), 8,8A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
15mohm a 10,2A, 10V, 23,3mohm a 8,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,7V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19nC a 10V, 32nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300pF a 15V, 2300pF a 15V
Potenza - Max
1,4W (Ta), 2,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
PG-DSO-8-920
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Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,55000€ 1,55
10€ 0,98500€ 9,85
100€ 0,66170€ 66,17
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
4 000€ 0,40937€ 1 637,48
8 000€ 0,39093€ 3 127,44
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,55000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,89100