Name: IRLS4030TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLS4030TRLPBFTR-ND
Price: 4.8312 EUR
Availability: InStock

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IRLS4030TRLPBF
Codice DigiKey	IRLS4030TRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLS4030TRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLS4030TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLS4030TRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 180 A (Tc) 370W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLS4030TRLPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 130 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11360 pF @ 50 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 180 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IRLS4030
RDSon (max) a Id, Vgs 4,3mohm a 110A, 10V

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDB035N10A	onsemi	7 629	FDB035N10ACT-ND	€ 5,03000	Diretto
BUK765R0-100E,118	Nexperia USA Inc.	1 550	1727-7135-1-ND	€ 4,53000	Simile
PSMN3R8-100BS,118	Nexperia USA Inc.	5 063	1727-7109-1-ND	€ 4,33000	Simile
PSMN5R6-100BS,118	Nexperia USA Inc.	1 031	1727-7125-1-ND	€ 3,48000	Simile
RSJ650N10TL	Rohm Semiconductor	0	RSJ650N10TLCT-ND	€ 6,90000	Simile